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Tobias Kestler, M.Sc.
Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Lehrstuhl für Mechatronik
Forschung
Einsatz von Siliciumcarbid Halbleitern in der urbanen Mobilität
Themen
- Vergleich SiC-MOSFET und Si-IGBT für Traktionsumrichter in Bezug auf Effizienz, Leistungsdichte und Systemkosten
- Kühlsystemoptimierung hinsichtlich Modullebensdauer, Halbleiterflächenbedarf, Gewicht sowie Bauraum für typische Traktionslastzyklen
- Sperrschichttemperaturmessung SiC-MOSFET
Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Lehrstuhl für Mechatronik
Publikationen
2019
Kestler, Tobias; Bakran, Mark-M.
Expansion of the Junction Temperature Measurement via the Internal Gate Resistance to a wide ra ...
2019
21th European Conference on Power Electronics and Applications, Genua
Kestler, Tobias; Bakran, Mark-M.
A "plug and measure" device for junction temperature monitoring in real converter environment
2019
PCIM Europe 2019, Nürnberg
2018
Kestler, Tobias; Damec, Vladislav; Bakran, Mark-M.
Differences in dimensioning SiC MOSFETs and Si IGBTs for Traction Inverters
2018
https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8515 ...
EPE 2018 : 20th European Conference on Power Electronics and Applications, Riga, Lettland
Kestler, Tobias; Bakran, Mark-M.
Junction Temperature Measurement of SiC MOSFETs : Straightforward as it seems?
2018
PCIM Europe 2018, Nürnberg, Deutschland
2017
Kestler, Tobias
Konzept sowie mechanische Ausarbeitung einer hochdrehenden permanentmagneterregten Synchronmasc ...
Bayreuth, 2017
(Masterarbeit, 2017,
)
2014
Reger, Arnim; Hamacher, Moritz; Böhner, Johannes; Kestler, Tobias; Steinhilper, Rolf
Analyzing the active power of variable frequency drives in manufacturing plants
4th International Electric Drives Production Conference (EDPC 2014)
Piscataway, NJ : IEEE, 2014. - S. 1-8
doi:10.1109/EDPC.2014.6984380 ...
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Lehrstuhl für Mechatronik
Tobias Kestler, M.Sc.
Wissenschaftlicher Mitarbeiter
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