Druckansicht der Internetadresse:

Fakultät für Ingenieurwissenschaften

Lehrstuhl Mechatronik – Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran

Seite drucken

Team > Dr.-Ing. Patrick Hofstetter

zurück zur Übersicht
zurück zur Übersicht
Dr.-Ing. Patrick Hofstetter

Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Lehrstuhl für Mechatronik


Forschung

Einsatz von Siliciumcarbid Halbleitern in der urbanen Mobilität

Dissertation: Informationen zur Promotion finden Sie hier.



Themen

  • Charakterisierung der elektrischen Robustheit von neuesten SiC MOSFETs  
  • Erarbeitung eines Schutzkonzepts, welches auf die Eigenschaften von SiC Halbleitern ausgelegt ist

Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Lehrstuhl für Mechatronik


Publikationen

2020

Hofstetter, Patrick; Maier, Robert; Bakran, Mark-M.
Parasitic Turn-On of SiC MOSFETs – Turning a Bug into a Feature
2020
https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&ar ...
PCIM Europe 2020, Online

2020

Hofstetter, Patrick
Hochausnutzung von Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren in Traktionsumrichtern
Bayreuth, 2020
(Dissertation, , )

Hofstetter, Patrick; Bakran, Mark-M.
The Two-Dimensional Short-Circuit Detection Protection For SiC MOSFETs in Urban Rail Transit Ap ...
In: IEEE Transactions on Power Electronics Bd. 35 (2020) Heft 6. - S. 5692-5701
doi:10.1109/TPEL.2019.2950966 ...

2019

Hofstetter, Patrick; Bakran, Mark-M.
Challenging the 2D-Short Circuit Detection Method for SiC MOSFETs
2019
PCIM Europe 2019, Nürnberg

Hofstetter, Patrick; Maier, Robert; Bakran, Mark-M.
Influence of the Threshold Voltage Hysteresis and the Drain Induced Barrier Lowering on the Dyn ...
2019
APEC 2019, Anaheim, USA

Hofstetter, Patrick; Bakran, Mark-M.
Mitigating Drain Source Voltage Oscillation for SiC Power MOSFETs in order to reduce Electromag ...
2019
21th European Conference on Power Electronics and Applications, Genua, Italien

2018

Hofstetter, Patrick; Hain, Stefan; Bakran, Mark-M.
Applying the 2D-Short Circuit Detection Method to SiC MOSFETs including an advanced Soft Turn O ...
2018
PCIM Europe 2018, Nürnberg, Deutschland

Hofstetter, Patrick; Bakran, Mark-M.
Comparison of the Surge Current Ruggedness between the Body Diode of SiC MOSFETs and Si Diodes ...
2018
CIPS 2018, Stuttgart

Lurz, Fabian; Hofstetter, Patrick; Lindner, Stefan; Linz, Sarah; Michler, Fabian; Weigel, Robert; Koelpin, Alexander
Low-Power Frequency Synthesizer for Multi-Tone Six-Port Radar
2018 IEEE Topical Conference on Wireless Sensors and Sensor Networks
Piscataway, NJ : IEEE, 2018. - S. 84-87
doi:10.1109/WISNET.2018.8311571 ...

Hofstetter, Patrick; Bakran, Mark-M.
Predicting Failure of SiC MOSFETs under Short Circuit and Surge Current Conditions with a singl ...
2018
20th European Conference on Power Electronics and Applications, Riga, Lettland

Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Lehrstuhl für Mechatronik


Dr.-Ing. Patrick Hofstetter
Wissenschaftlicher Mitarbeiter

Google Scholar: Veröffentlichungen
ResearchGate: Veröffentlichungen

Verantwortlich für die Redaktion: Christine Schmidt

Facebook Twitter Youtube-Kanal Instagram UBT-A Kontakt