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Vom 14. bis 18. September 2026 fand im Palacio de Congresos de Valencia die ECCE Europe 2026 statt, die europäische Flaggschiffkonferenz für Leistungselektronik, die seit 2024 gemeinsam von der IEEE Power Electronics Society (PELS) und dem European Center for Power Electronics (ECPE) ausgerichtet wird. Mit rund 900 Teilnehmerinnen und Teilnehmern und etwa 600 Fachbeiträgen bot sie ein umfassendes Forum für den Austausch zwischen Wissenschaft und Industrie.

Der Lehrstuhl für Mechatronik der Universität Bayreuth war mit sieben Teilnehmern vor Ort und stellte fünf Beiträge vor, die das breite Forschungsspektrum des Lehrstuhls abbilden:

Evaluation of Different Temperature Sensitive Electrical Parameters in Direct-Drive-d-Mode-GaN

Andreas Bäumler untersuchte die Eignung verschiedener temperatursensitiver elektrischer Parameter (TSEPs) zur indirekten Überwachung der Sperrschichttemperatur von Direct-Drive-d-Mode-GaN-Halbleitern. Neben dem Durchlasswiderstand und den für GaN typischen Trapping-Effekten stand dabei vor allem der Gate-Leckstrom und dessen Einfluss auf Eingangskapazität und Gate-Impedanz im Fokus. Ein Vergleich verschiedener Bauteilgenerationen rundete die Arbeit ab.

Investigation of Silicon and Silicon Carbide Semiconductors for 2- and 3-Level Industrial Active Frontends

Johannes Hammer präsentierte in Zusammenarbeit mit der Siemens AG einen Vergleich von Silizium- und Siliziumkarbid-Halbleitern in zwei- und dreistufigen industriellen Active Frontends. Simulationen und kalorimetrische Verlustmessungen zeigten, dass ein IGBT-basierter 3L-TNPC-Umrichter bei 16 kHz den kosteneffizientesten Weg zu höherem Wirkungsgrad und kleineren passiven Bauelementen bietet.

Analysis of a Phase-Change Cooling System Using Experiments, Cauer Network Modeling and Computational Fluid Dynamics

Moritz Naumann stellte zusammen mit Michael Gleissner die Analyse eines Phasenwechsel-Kühlsystems für Halbleiterchips vor. Dabei wurden einfache Cauer-Netzwerkmodelle und aufwendige 3D-CFD-Simulationen in Ansys Fluent schrittweise, von reiner Konvektion bis zur Phasenwechselkühlung, mit Labormessungen verglichen.

Design of a JFET Gate Driver for Automotive Operating Conditions

Tim Ringelmann präsentierte gemeinsam mit Leon Eisentraut einen Gate-Treiber für JFETs in automobilen Mixed-Half-Bridge-Konfigurationen. Ein besonderer Schwerpunkt lag auf der Entwicklung einer Schutzbeschaltung für die Treiberendstufe, die den zuverlässigen Betrieb auch bei kritischen Fehlerfällen wie einem Active Short Circuit (ASC) sicherstellt. Darüber hinaus übernimmt die Schaltung die zeitliche Koordination der Schutzfunktion, sodass im Fehlerfall ein kontrolliertes und robustes Verhalten des Gesamtsystems gewährleistet wird.

Inductive Balancing: A Novel Approach to Mitigate Signal Distortion in Current-Sense IGBTs

Michael Walter analysierte parasitäre induktive Kopplungen bei Current-Sense-IGBTs, die während Schaltvorgängen die Messgenauigkeit beeinträchtigen. Auf Basis eines physikalischen Modells, validiert durch Simulation und Messung, stellte er mit dem „Inductive Balancing“ einen neuen Kompensationsansatz vor und leitete praxisnahe Auslegungsrichtlinien ab.

Neben den eigenen Präsentationen nutzte das Team die Konferenz für intensive Fachdiskussionen und den Ausbau des wissenschaftlichen Netzwerks. Die starke Präsenz auf der wichtigsten europäischen Konferenz der Leistungselektronik unterstreicht die Sichtbarkeit der Bayreuther Forschung in diesem Feld.

Ein besonderer Höhepunkt war das Gala Dinner am Mittwoch, dem 16. September, in der Masía de Xamandreu. Das liebevoll restaurierte Landgut aus dem 19. Jahrhundert inmitten der Orangenhaine Valencias bot mit seiner Mischung aus valencianischer Tradition und entspannter Atmosphäre einen stimmungsvollen Rahmen für den persönlichen Austausch mit Kolleginnen und Kollegen aus aller Welt. Wir freuen uns bereits auf die ECCE Europe 2027.