News

Unser Lehrstuhl veröffentlicht im IEEE Open Journal of Power Electronics die neuesten Forschungsergebnisse zur Sperrschichttemperaturmessung über den internen Gate-Innenwiderstand von Leistungshalbeleitern.

Um den Wert des temperaturabhängigen internen Gate-Widerstands zu bestimmen, wurde am Lehrstuhl im Rahmen mehrerer Forschungsprojekte ein Sperrschichttemperaturmonitor entwickelt. Das Gerät ermöglicht eine einfache und robuste Sperrschichttemperaturmessung im Umrichterbetrieb, die hervorragend mit einer Infrarot-Referenzmessung übereinstimmt. Die Anwendbarkeit des Verfahrens auf andere Halbleiter als Si-IGBTs, wie etwa SiC-MOSFETs, JFETs und GaN-Bauteile, wird durch Gate-Impedanzmessungen mit einem Netzwerkanalysator untersucht. Entscheidend für die Anwendbarkeit ist der Gütefaktor der Gate-Impedanz. Andere temperaturabhängige elektrische Parameter hängen ebenfalls vom internen Gate-Widerstand ab. Daher sind die vorgestellten Ergebnisse für viele Verfahren zur Messung der Sperrschichttemperatur relevant.

Es handelt sich um eine Open Access Publikation, die durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) – 491183248 und durch den Open Access Publikationsfonds der Universität Bayreuth gefördert wurde. Open Access steht für den freien Zugang zu wissenschaftlichen Publikationen. Die Texte sind frei im Internet zugänglich und können ohne weitere Kosten gelesen, heruntergeladen, kopiert, verteilt und gedruckt werden.

Der Beitrag ist hier verfügbar: https://ieeexplore.ieee.org/document/10097862