Abschlussarbeiten

Thema	Betreuer
Aufbau und Charakterisierung einer Parallelschaltung von Niedervolt-MOSFETs für Stoßkurzschlussströme	Dr.-Ing. Michael Gleißner
Ausnutzung der Sperrspannung von SiC MOSFET während des Schaltvorgangs durch Gate-Ansteuerung	Zheming Li, M.Sc.
Charakterisierung von Galliumnitrid (GaN)-Halbleitern für automobile Antriebsumrichter	Dominik Nehmer, M.Sc.
Einsatz von Siliziumkarbid-Halbleitern in der Hoch-Leistungselektronik für HVDC	Lukas Bergmann, M.Sc.
Konzipierung eines Messgerätes für die Drain-Source-Spannung bei SiC-MOSFETS	Frank Lautner, M.Sc.
SiC MOSFET Schalten mit niedriger EMI und geringen Verlusten durch Gate-Ansteuerung bei Solaranwendung	Zheming Li, M.Sc.
Untersuchung zum Einfluss der Temperatur auf Teilentladungen in E-Maschinen	Markus Fürst, M.Sc.

Thema	Betreuer
Analytische Betrachtung und Vergleich verschiedener Multilevel-Umrichter Topologien für den Einsatz in Elektrofahrzeugen	Johannes Häring, M.Sc.
Charakterisierung von SiC-MOSFETs für die Elektromobilität	Michael Frank, M.Sc.
Untersuchung und Optimierung des Schaltverhaltens von SiC MOSFETs	Robert Maier, M.Sc.

Verantwortlich für die Redaktion: Christine Schmidt

Fakultät für Ingenieurwissenschaften