Abschlussarbeiten

Thema	Betreuer
Aufbau und Charakterisierung einer Parallelschaltung von Niedervolt-MOSFETs für Stoßkurzschlussströme	Dr.-Ing. Michael Gleißner
Auslegung einer Abkoppelschaltung für die Drain-Source-Spannung bei SiC-MOSFETS	Frank Lautner, M.Sc.
Einsatz von Siliziumkarbid-Halbleitern in der Hoch-Leistungselektronik für HVDC	Lukas Bergmann, M.Sc.

Thema	Betreuer
Analytische Betrachtung und Vergleich verschiedener Multilevel-Umrichter Topologien für den Einsatz in Elektrofahrzeugen	Johannes Häring, M.Sc.
Untersuchung und Optimierung des Schaltverhaltens von SiC MOSFETs	Robert Maier, M.Sc.

Verantwortlich für die Redaktion: Christine Schmidt