Abschlussarbeiten

Thema	Betreuer
Aufbau und Charakterisierung einer Parallelschaltung von Niedervolt-MOSFETs für Stoßkurzschlussströme	Dr.-Ing. Michael Gleißner
Auslegung einer Abkoppelschaltung für die Drain-Source-Spannung bei SiC-MOSFETS	Frank Lautner, M.Sc.
Design of a high current capable gate driver for SiC MOSFET	Pablo Rodriguez de Mora, M.Sc.
Einsatz von Siliziumkarbid-Halbleitern in der Hoch-Leistungselektronik	Lukas Bergmann, M.Sc.
Planung und Aufbau eines Prüfstands für Elektromotoren zur Vermessung eines ANPC Wechselrichters	Johannes Häring, M.Sc.
Recherche zum Stand der Technik der elektrischen und physikalischen Einflussfaktoren auf Teilentladungen in E-Motoren	Markus Fürst, M.Sc.
Untersuchung und Optimierung des Schaltverhaltens von SiC MOSFETs	Robert Maier, M.Sc.
Vergleich von modularen Umrichterkonzepten	Dr.-Ing. Michael Gleißner

Thema	Betreuer
Detaillierte Untersuchung zum Einfluss der Spannungssteilheit und des transienten Überschwingers auf Teilentladungen	Markus Fürst, M.Sc.
Einsatz von Siliziumkarbid-Halbleitern in der Hoch-Leistungselektronik	Lukas Bergmann, M.Sc.
Kühlkonzepte für leistungselektronische Systeme mit hoher Leistungsdichte unter der Verwendung von SiC-Bauelementen	Stefan Freimuth, M.Sc.
Untersuchung und Optimierung des Schaltverhaltens von SiC MOSFETs	Robert Maier, M.Sc.

Verantwortlich für die Redaktion: Christine Schmidt

Fakultät für Ingenieurwissenschaften